IXFN66N85X
Модул; единичен транзистор; 850V; 65A; SOT227B; завинтване; 830W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN66N85X
Символ TME:
IXFN66N85X
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 850V | |
Ток на дрейна | 65A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 65mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 140A | |
Разсейвана мощност | 830W | |
Технология | HiPerFET™, X-Class | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 230nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.04 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85XБройки (Кратност: 1)
1 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 52.46 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 62.96 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 46.34 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 55.61 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 41.60 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 49.92 USD
Метод на опаковане от страна на производителяРолка = 10 бр.