+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	500V
Ток на дрейна	63A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	65mΩ
Ток на дрейна при импулс	240A
Разсейвана мощност	780W
Технология	HiPerFET™, Q3-Class
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	200nС
Време за готовност	250ns
Напрежение гейт-сорс	±40V
Механичен монтаж	завинтване

IXFN80N50Q3

Модул; единичен транзистор; 500V; 63A; SOT227B; завинтване; 780W

Спецификация