IXFN82N60P
Модул; единичен транзистор; 600V; 72A; SOT227B; завинтване; 1040W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN82N60P
Символ TME:
IXFN82N60P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 600V | |
Ток на дрейна | 72A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 75mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 200A | |
Разсейвана мощност | 1,04kW | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 240nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло29.69 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 37.05 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 44.46 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 30.37 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 36.44 EUR
Нетна цена за количества от 100 бр. - 28.45 EURБрутна цена за количества от 100 бр. - 34.14 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.