IXGN200N170
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXGN200N170
Символ TME:
IXGN200N170
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 1,7kV | |
Ток на колектора | 160A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 1,05kA | |
Разсейвана мощност | 1,25kW | |
Технология | NPT | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT IXYS,
* IXGN200N170
0 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Нетна цена за количества от 1 бр. - 65.92 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 79.10 USD
Нетна цена за количества от 5 бр. - 60.76 USDБрутна цена за количества от 5 бр. - 72.91 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 58.63 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 70.36 USD