IXGN200N60B3
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXGN200N60B3
Символ TME:
IXGN200N60B3
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 0,6kV | |
Ток на колектора | 200A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 1,2kA | |
Разсейвана мощност | 830W | |
Технология | GenX3™, PT | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.1 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT IXYS,
* IXGN200N60B3Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 45.88 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 55.06 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.