+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	-200V
Ток на дрейна	-106A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	30mΩ
Ток на дрейна при импулс	-400A
Разсейвана мощност	830W
Технология	TrenchP™
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	740nС
Време за готовност	300ns
Напрежение гейт-сорс	±15V
Механичен монтаж	завинтване

IXTN120P20T

Модул; единичен транзистор; -200V; -106A; SOT227B; завинтване

Спецификация