IXTN200N10T
Модул; единичен транзистор; 100V; 200A; SOT227B; завинтване; 550W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXTN200N10T
Символ TME:
IXTN200N10T
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 100V | |
Ток на дрейна | 200A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 5,5mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 500A | |
Разсейвана мощност | 550W | |
Технология | TrenchMV™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 152nС | |
Време за готовност | 76ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.01 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10TБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 41.83 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 50.20 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 36.98 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 44.38 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 33.17 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 39.80 USD
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.