IXTN210P10T
Модул; единичен транзистор; -100V; -210A; SOT227B; завинтване
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXTN210P10T
Символ TME:
IXTN210P10T
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | -100V | |
Ток на дрейна | -210A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 7,5mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | -800A | |
Разсейвана мощност | 830W | |
Технология | TrenchP™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 740nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±15V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.13 g
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10T
0 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Нетна цена за количества от 1 бр. - 41.62 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 49.94 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 39.00 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 46.80 EUR
Метод на опаковане от страна на производителя:Туба = 10 бр.