+1 500 000 продукти в офертата

6000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1kV
Ток на дрейна	30A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	0,45Ω
Ток на дрейна при импулс	70A
Разсейвана мощност	800W
Технология	Linear™
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	545nС
Време за готовност	1µs
Напрежение гейт-сорс	±40V
Механичен монтаж	завинтване

IXTN30N100L

Модул; единичен транзистор; 1kV; 30A; SOT227B; завинтване; Idm: 70A

Спецификация