+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	500V
Ток на дрейна	53A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	0,1Ω
Ток на дрейна при импулс	150A
Разсейвана мощност	735W
Технология	Linear L2™
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	610nС
Време за готовност	980ns
Напрежение гейт-сорс	±40V
Механичен монтаж	завинтване

IXTN60N50L2

Модул; единичен транзистор; 500V; 53A; SOT227B; завинтване; 735W

Спецификация