IXYN75N65C3D1
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXYN75N65C3D1
Символ TME:
IXYN75N65C3D1
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 650V | |
Ток на колектора | 75A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 360A | |
Разсейвана мощност | 600W | |
Технология | GenX3™, XPT™ | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT IXYS,
* IXYN75N65C3D1Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 30.91 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 37.08 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 27.80 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 33.36 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 24.60 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 29.52 EUR