MCNA120UI2200TED
Модул: IGBT; диод/тиристор/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Производител: IXYS
Означение на производителя:
MCNA120UI2200TED
Символ TME:
MCNA120UI2200TED
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | диод/тиристор/IGBT | |
Топология | boost chopper, диодно-тиристорен 3-фазен мост, термистор NTC | |
Обратно макс. напрежение | 2,2kV | |
Ток на колектора | 80A | |
Кутия | E2-Pack | |
Приложение | инвертор | |
Електрически монтаж | Press-in PCB | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 150A | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло10 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT IXYS,
* MCNA120UI2200TEDБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 158.00 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 189.60 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 141.00 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 169.20 EUR
Нетна цена за количества от 6 бр. - 126.00 EURБрутна цена за количества от 6 бр. - 151.21 EUR