+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	ONSEMI
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	транзистор/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1,2kV
Ток на дрейна	304A
Кутия	PIM36
Топология	полумост MOSFET
Електрически монтаж	Press-in PCB
Съпротивление във включено състояние	7,28mΩ
Ток на дрейна при импулс	912A
Разсейвана мощност	950W
Технология	SiC
Напрежение гейт-сорс	-15...25V
Вид опаковане	табла
Механичен монтаж	завинтване

NXH006P120MNF2PTG

Модул; транзистор/транзистор; 1,2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB

Спецификация