+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	ONSEMI
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	транзистор/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1,2kV
Ток на дрейна	114A
Кутия	PIM18
Топология	полумост MOSFET
Електрически монтаж	Press-in PCB
Съпротивление във включено състояние	14,5mΩ
Ток на дрейна при импулс	228A
Разсейвана мощност	413W
Технология	SiC
Напрежение гейт-сорс	-15...25V
Вид опаковане	табла
Механичен монтаж	завинтване

NXH010P120MNF1PG

Модул; транзистор/транзистор; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Спецификация