+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	ONSEMI
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	диод/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	900V
Ток на дрейна	149A
Кутия	PIM20
Топология	Vienna Rectifier, термистор NTC
Електрически монтаж	Press-in PCB
Съпротивление във включено състояние	10mΩ
Ток на дрейна при импулс	447A
Разсейвана мощност	352W
Технология	SiC
Напрежение гейт-сорс	-8...18V
Вид опаковане	табла
Механичен монтаж	завинтване

NXH020U90MNF2PTG

Модул; диод/транзистор; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A

Спецификация