+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	ONSEMI
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	транзистор/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1,2kV
Ток на дрейна	30A
Кутия	PIM22
Топология	мост Н
Електрически монтаж	Press-in PCB
Съпротивление във включено състояние	61mΩ
Ток на дрейна при импулс	60A
Разсейвана мощност	113W
Технология	SiC
Напрежение гейт-сорс	-15...25V
Вид опаковане	табла
Механичен монтаж	завинтване

NXH040F120MNF1PG

Модул; транзистор/транзистор; 1,2kV; 30A; PIM22; Топология: мост Н

Спецификация