+1 500 000 продукти в офертата

6000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Информираме, че на 12.07.2026 в 08:00 -11:00 (CEST) часа може да се появят проблеми с достъпа до Интернет сайта и с поръчките on-line. Извиняваме се за затрудненията.

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	ONSEMI
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	транзистор/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	80V
Ток на дрейна	200A
Кутия	APM12-CBA
Топология	полумост MOSFET
Електрически монтаж	THT
Съпротивление във включено състояние	2,4mΩ
Напрежение гейт-сорс	±20V
Вид опаковане	табла
Механичен монтаж	завинтване

NXV08A170DB2

Модул; транзистор/транзистор; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Спецификация