STGAP2SICSCTR
IC: driver; гейтов драйвер SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Производител: STMicroelectronics
Означение на производителя:
STGAP2SICSCTR
Символ TME:
STGAP2SICSCTR
Спецификация
Производител | STMicroelectronics | |
Тип интегрална схема | driver | |
Вид интегрална схема | гейтов драйвер SiC MOSFET | |
Кутия | SO8-W | |
Изходен ток | -4...4A | |
Изходно напрежение | 1,2kV | |
Брой канали | 1 | |
Свойства на интегралните схеми | галванично разделяне | |
Монтаж | SMD | |
Работна температура | -40...125°C | |
Вид опаковане | лента, ролка |
Захранващо напрежение
- 3,1...5,5V
Бруто тегло1 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Драйвъри MOSFET/IGBT STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTRБройки (Кратност: 1 000)
0 в склад на TME
Продукт на специална поръчка