WMSC010H12B1P6T
Модул; транзистор/транзистор; 1,2kV; 107A; Press-in PCB; Idm: 210A
Производител: WeEn Semiconductors
Означение на производителя:
WMSC010H12B1P6T
Символ TME:
WMSC010H12B1P6T
Спецификация
Производител | WeEn Semiconductors | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | транзистор/транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1,2kV | |
Ток на дрейна | 107A | |
Топология | полумост MOSFET, термистор NTC | |
Електрически монтаж | Press-in PCB | |
Съпротивление във включено състояние | 10mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 210A | |
Разсейвана мощност | 152W | |
Технология | SiC | |
Напрежение гейт-сорс | -4...18V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло20 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules WeEn Semiconductors,
* WMSC010H12B1P6TБройки (Кратност: 16)
0 в склад на TME
Продукт на специална поръчка