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IXFN100N65X2

Módulo; transístor individual; 650V; 78A; SOT227B; roscado; 595W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN100N65X2
Símbolo TME:
IXFN100N65X2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
650V
Corrente de dreno
78A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
30mΩ
Corrente de dreno em impulso
200A
Potência dissipada
595W
Tecnologia
HiPerFET™, X2-Class
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
183nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.09 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN100N65X2
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Quantidade mínima a encomendar: 1.
Multiplicidade: 1.
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 28.38 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 34.91 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 25.64 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 31.54 EUR
Preço líquido para as quantidades de 15 itens - 24.75 EURPreço bruto para as quantidades de 15 itens - 30.44 EUR
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 24.09 EURPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 29.63 EUR
Preço líquido para as quantidades de 40 itens - 23.25 EURPreço bruto para as quantidades de 40 itens - 28.59 EUR