IXFN102N30P
Módulo; transístor individual; 300V; 86A; SOT227B; roscado; 570W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN102N30P
Símbolo TME:
IXFN102N30P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 300V | |
Corrente de dreno | 86A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 33mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 250A | |
Potência dissipada | 570W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 224nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.99 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN102N30PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 24.11 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 29.66 EUR
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 23.03 EURPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 28.33 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 22.08 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 27.16 EUR
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 20.52 EURPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 25.23 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 19.36 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 23.81 EUR