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IXFN110N60P3

Módulo; transístor individual; 600V; 90A; SOT227B; roscado; 1500W


Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN110N60P3
Símbolo TME:
IXFN110N60P3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
90A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
56mΩ
Corrente de dreno em impulso
275A
Potência dissipada
1,5kW
Tecnologia
HiPerFET™, Polar3™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
254nC
Tempo de prontidão
250ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto35.71 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN110N60P3
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Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 37.99 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 46.73 USD
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens