IXFN110N85X
Módulo; transístor individual; 850V; 110A; SOT227B; roscado; 1170W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN110N85X
Símbolo TME:
IXFN110N85X
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 850V | ||
Corrente de dreno | 110A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 33mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 220A | ||
Potência dissipada | 1,17kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 425nC | ||
Tempo de prontidão | 205ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±40V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.29 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 69.85 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 85.92 EUR
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 64.45 EURPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 79.28 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 62.20 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 76.51 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens