IXFN110N85X
Módulo; transístor individual; 850V; 110A; SOT227B; roscado; 1170W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN110N85X
Símbolo TME:
IXFN110N85X
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 850V | |
Corrente de dreno | 110A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 33mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 220A | |
Potência dissipada | 1,17kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 425nC | |
Tempo de prontidão | 205ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.29 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85X
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Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 71.01 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 87.34 EUR
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 65.70 EURPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 80.81 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 63.40 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 77.98 EUR
Método de embalagem do fabricante:Tubo = 10 itens