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IXFN210N30X3

Módulo; transístor individual; 300V; 210A; SOT227B; roscado; 695W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN210N30X3
Símbolo TME:
IXFN210N30X3

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
300V
Corrente de dreno
210A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
4,6mΩ
Corrente de dreno em impulso
650A
Potência dissipada
695W
Tecnologia
HiPerFET™, X3-Class
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
375nC
Tempo de prontidão
190ns
Tensão descarga-fonte
±20V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto37.14 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXFN210N30X3
12 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 36.91 GBPPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 45.40 GBP
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 35.03 GBPPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 43.09 GBP
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 34.05 GBPPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 41.88 GBP
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens