IXFN32N100P
Módulo; transístor individual; 1kV; 27A; SOT227B; roscado; Idm: 75A
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN32N100P
Símbolo TME:
IXFN32N100P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 27A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,32Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 75A | |
Potência dissipada | 690W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 225nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.01 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 34.92 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 42.96 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 32.38 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 39.82 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 30.79 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 37.87 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens