IXFN52N100X
Módulo; transístor individual; 1kV; 44A; SOT227B; roscado; 830W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN52N100X
Símbolo TME:
IXFN52N100X
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1kV | |
Corrente de dreno | 44A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,125Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 100A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 245nC | |
Tempo de prontidão | 260ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.82 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN52N100XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 53.21 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 65.45 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 46.03 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 56.62 EUR
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 40.46 EURPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 49.76 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens