IXFN55N50
Módulo; transístor individual; 500V; 55A; SOT227B; roscado; 625W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN55N50
Símbolo TME:
IXFN55N50
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 55A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 80mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 220A | |
Potência dissipada | 625W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 330nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto36.7 g
Certificados
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* IXFN55N50Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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Preço líquido para as quantidades de 300 itens - 29.59 EURPreço bruto para as quantidades de 300 itens - 36.40 EUR