IXFN60N80P
Módulo; transístor individual; 800V; 53A; SOT227B; roscado; 1040W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN60N80P
Símbolo TME:
IXFN60N80P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 800V | |
Corrente de dreno | 53A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,14Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 150A | |
Potência dissipada | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 250nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.31 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 39.81 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 48.96 EUR
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 38.31 EURPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 47.12 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 36.90 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 45.39 EUR
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 35.71 EURPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 43.92 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens