IXFN62N80Q3
Módulo; transístor individual; 800V; 49A; SOT227B; roscado; 960W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN62N80Q3
Símbolo TME:
IXFN62N80Q3
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 800V | |
Corrente de dreno | 49A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 0,14Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 180A | |
Potência dissipada | 960W | |
Tecnologia | HiPerFET™, Q3-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 0,27µC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.08 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN62N80Q3Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 63.51 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 78.11 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 56.11 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 69.00 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 50.40 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 62.00 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens