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IXFN64N50P

Módulo; transístor individual; 500V; 50A; SOT227B; roscado; 625W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXFN64N50P
Símbolo TME:
IXFN64N50P

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
500V
Corrente de dreno
50A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
85mΩ
Corrente de dreno em impulso
150A
Potência dissipada
625W
Tecnologia
HiPerFET™, Polar™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
150nC
Tempo de prontidão
200ns
Tensão descarga-fonte
±40V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto36.91 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXFN64N50P
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 31.90 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 39.23 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 26.80 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 32.96 USD
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 24.86 USDPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 30.58 USD
Preço líquido para as quantidades de 40 itens - 23.23 USDPreço bruto para as quantidades de 40 itens - 28.57 USD
Preço líquido para as quantidades de 50 itens - 22.91 USDPreço bruto para as quantidades de 50 itens - 28.17 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens