IXFN64N60P
Módulo; transístor individual; 600V; 50A; SOT227B; roscado; 700W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN64N60P
Símbolo TME:
IXFN64N60P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 600V | |
Corrente de dreno | 50A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 96mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 150A | |
Potência dissipada | 700W | |
Tecnologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 200nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto35.84 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN64N60PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 29.32 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 36.05 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 25.45 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 31.30 EUR
Preço líquido para as quantidades de 20 itens - 24.55 EURPreço bruto para as quantidades de 20 itens - 30.20 EUR
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens