IXFN80N50
Módulo; transístor individual; 500V; 80A; SOT227B; roscado; 694W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN80N50
Símbolo TME:
IXFN80N50
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 80A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 55mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 320A | |
Potência dissipada | 694W | |
Tecnologia | HiPerFET™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 380nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.16 g
Certificados
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* IXFN80N50Quantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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