IXFN82N60P
Módulo; transístor individual; 600V; 72A; SOT227B; roscado; 1040W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN82N60P
Símbolo TME:
IXFN82N60P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 600V | |
Corrente de dreno | 72A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 75mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 200A | |
Potência dissipada | 1,04kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 240nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto29.69 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 42.82 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 52.66 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 35.08 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 43.15 USD
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 32.88 USDPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 40.44 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens