IXFN90N85X
Módulo; transístor individual; 850V; 90A; SOT227B; roscado; 1200W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN90N85X
Símbolo TME:
IXFN90N85X
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 850V | |
Corrente de dreno | 90A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 41mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 180A | |
Potência dissipada | 1,2kW | |
Tecnologia | HiPerFET™, X-Class | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 340nC | |
Tempo de prontidão | 250ns | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.31 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN90N85XQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 51.43 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 63.25 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 48.19 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 59.27 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens