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IXTN110N20L2

Módulo; transístor individual; 200V; 100A; SOT227B; roscado; 735W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTN110N20L2
Símbolo TME:
IXTN110N20L2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
200V
Corrente de dreno
100A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
24mΩ
Corrente de dreno em impulso
275A
Potência dissipada
735W
Tecnologia
Linear L2™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
500nC
Tempo de prontidão
420ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto30 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
*
IXTN110N20L2
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 46.81 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 57.57 EUR
Preço líquido para as quantidades de 5 itens - 44.18 EURPreço bruto para as quantidades de 5 itens - 54.35 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 39.40 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 48.45 EUR
Preço líquido para as quantidades de 100 itens - 36.91 EURPreço bruto para as quantidades de 100 itens - 45.40 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)