IXTN120P20T
Módulo; transístor individual; -200V; -106A; SOT227B; roscado
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN120P20T
Símbolo TME:
IXTN120P20T
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | -200V | |
Corrente de dreno | -106A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 30mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | -400A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | TrenchP™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 740nC | |
Tempo de prontidão | 300ns | |
Tensão descarga-fonte | ±15V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto29.575 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXTN120P20TQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 57.30 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 70.48 EUR
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 50.61 EURPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 62.24 EUR
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 45.50 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 55.97 EUR