IXTN210P10T
Módulo; transístor individual; -100V; -210A; SOT227B; roscado
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN210P10T
Símbolo TME:
IXTN210P10T
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | -100V | |
Corrente de dreno | -210A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 7,5mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | -800A | |
Potência dissipada | 830W | |
Tecnologia | TrenchP™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 740nC | |
Tempo de prontidão | 200ns | |
Tensão descarga-fonte | ±15V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto37.13 g
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10TQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 47.83 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 58.83 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 44.82 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 55.13 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens