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IXTN550N055T2

Módulo; transístor individual; 55V; 550A; SOT227B; roscado; 940W

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
IXTN550N055T2
Símbolo TME:
IXTN550N055T2

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
55V
Corrente de dreno
550A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
1,3mΩ
Corrente de dreno em impulso
1,65kA
Potência dissipada
940W
Tecnologia
GigaMOS™, TrenchT2™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
595nC
Tempo de prontidão
100ns
Tensão descarga-fonte
±30V
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto35.71 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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IXTN550N055T2
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Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 32.17 EURPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 39.57 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens