IXTN8N150L
Módulo; transístor individual; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; roscado; 545W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN8N150L
Símbolo TME:
IXTN8N150L
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | 1,5kV | |
Corrente de dreno | 7,5A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 3,6Ω | |
Corrente de dreno em impulso | 20A | |
Potência dissipada | 545W | |
Tecnologia | Linear™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 250nC | |
Tempo de prontidão | 1,7µs | |
Tensão descarga-fonte | ±40V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN8N150LQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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