IXTN90P20P
Módulo; transístor individual; -200V; -90A; SOT227B; roscado; 890W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXTN90P20P
Símbolo TME:
IXTN90P20P
Especificação
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão dreno-fonte | -200V | |
Corrente de dreno | -90A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Polarização | unipolar | |
Resistência no estado de condução | 44mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | -270A | |
Potência dissipada | 890W | |
Tecnologia | PolarP™ | |
Espécie de canal | enriquecido | |
Carga da porta | 205nC | |
Tempo de prontidão | 315ns | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* IXTN90P20PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 300)
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