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VMO550-01F

Módulo; transístor individual; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA

Fabricante: IXYS

Referência do Fabricante:
VMO550-01F
Símbolo TME:
VMO550-01F

Especificação

Fabricante
IXYS
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
100V
Corrente de dreno
590A
Caixa
Y3-DCB
Montagem elétrica
FASTON conectores, roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
2,1mΩ
Corrente de dreno em impulso
2,36kA
Potência dissipada
2,2kW
Tecnologia
HiPerFET™
Espécie de canal
enriquecido
Carga da porta
2µC
Tempo de prontidão
300ns
Tensão descarga-fonte
±20V
Propriedades de dispositivos semicondutores
derivação Kelvin
Montagem mecânica
roscado
Peso bruto50 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
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VMO550-01F
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 477.61 EURPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 587.46 EUR
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 422.12 EURPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 519.21 EUR
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 379.51 EURPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 466.80 EUR
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1)