G3R20MT12N
Modul; en enskild transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; skruvad; 365W
Tillverkare: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tillverkarens benämning:
G3R20MT12N
TMEs Symbol:
G3R20MT12N
Specifikation
Tillverkare | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | ||
Halvledarstruktur | en enskild transistor | ||
Drän-källa spänning | 1,2kV | ||
Dränspänning | 74A | ||
Kapsling | SOT227B | ||
Elektriskt montage | skruvad | ||
Polaritet | enpolig | ||
Ledresistans | 20mΩ | ||
Pulserande drain-ström | 240A | ||
Effektdissipation | 365W | ||
Teknik | G3R™, SiC | ||
Sort av kanal | anrikad | ||
Port-källa spänning | -5...15V | ||
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt35.39 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NAntal stycken (Multipel: 1)
105 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 47.75 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 59.69 EUR
Nettopris för kvantiteter från 5 st - 45.88 EURBruttopris för kvantiteter från 5 st - 57.35 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 45.01 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 56.26 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st