IXFN32N100P
Modul; en enskild transistor; 1kV; 27A; SOT227B; skruvad; Idm: 75A
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN32N100P
TMEs Symbol:
IXFN32N100P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1kV | |
Dränspänning | 27A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,32Ω | |
Pulserande drain-ström | 75A | |
Effektdissipation | 690W | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 225nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.01 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 30.75 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 38.44 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 28.51 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 35.64 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 27.11 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 33.89 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st