IXTN200N10L2
Modul; en enskild transistor; 100V; 178A; SOT227B; skruvad; 830W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXTN200N10L2
TMEs Symbol:
IXTN200N10L2
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 100V | |
Dränspänning | 178A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 11mΩ | |
Pulserande drain-ström | 500A | |
Effektdissipation | 830W | |
Teknik | Linear L2™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 540nC | |
Beredskapstid | 245ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt29.6 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 52.95 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 66.18 USD
Nettopris för kvantiteter från 100 st - 46.91 USDBruttopris för kvantiteter från 100 st - 58.64 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 20 st