IXTN200N10L2
Modul; en enskild transistor; 100V; 178A; SOT227B; skruvad; 830W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXTN200N10L2
TMEs Symbol:
IXTN200N10L2
Specifikation
Tillverkare | IXYS | ||
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | ||
Halvledarstruktur | en enskild transistor | ||
Drän-källa spänning | 100V | ||
Dränspänning | 178A | ||
Kapsling | SOT227B | ||
Elektriskt montage | skruvad | ||
Polaritet | enpolig | ||
Ledresistans | 11mΩ | ||
Pulserande drain-ström | 500A | ||
Effektdissipation | 830W | ||
Teknik | Linear L2™ | ||
Sort av kanal | anrikad | ||
Portens laddning | 540nC | ||
Beredskapstid | 245ns | ||
Port-källa spänning | ±30V | ||
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt29.6 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 51.48 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 64.35 USD
Nettopris för kvantiteter från 100 st - 45.62 USDBruttopris för kvantiteter från 100 st - 57.02 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 20 st