IXTN210P10T
Modul; en enskild transistor; -100V; -210A; SOT227B; skruvad; 830W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXTN210P10T
TMEs Symbol:
IXTN210P10T
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | -100V | |
Dränspänning | -210A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 7,5mΩ | |
Pulserande drain-ström | -800A | |
Effektdissipation | 830W | |
Teknik | TrenchP™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 740nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±15V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.13 g
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXTN210P10TAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 47.83 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 59.79 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 44.82 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 56.02 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st