MID150-12A4
Modul: IGBT; diod/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
MID150-12A4
TMEs Symbol:
MID150-12A4
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | diod/transistor | |
Topologi | boost chopper | |
Max backspänning | 1,2kV | |
Kollektorström | 120A | |
Kapsling | Y3-DCB | |
Användning | motorer | |
Elektriskt montage | FASTON kontaktdon, skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 200A | |
Effektdissipation | 760W | |
Teknik | NPT | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt10 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MID150-12A4Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 188.34 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 235.43 USD
Nettopris för kvantiteter från 4 st - 167.92 USDBruttopris för kvantiteter från 4 st - 209.90 USD
Nettopris för kvantiteter från 6 st - 149.77 USDBruttopris för kvantiteter från 6 st - 187.21 USD