A1P35S12M3
Модул: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35A
Производител: STMicroelectronics
Означение на производителя:
A1P35S12M3
Символ TME:
A1P35S12M3
Спецификация
Производител | STMicroelectronics | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | транзистор/транзистор | |
Топология | полумост IGBT x3, термистор NTC | |
Обратно макс. напрежение | 1,2kV | |
Ток на колектора | 35A | |
Кутия | ACEPACK™1 | |
Приложение | двигатели, инвертор | |
Електрически монтаж | Press-in PCB | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 70A | |
Разсейвана мощност | 250W | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло24.84 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT STMicroelectronics,
* A1P35S12M3
12 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Продуктът е достъпен само до изчерпване на складовите количества
Нетна цена за количества от 1 бр. - 51.16 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 61.39 USD
Метод на опаковане от страна на производителя:Кашон = 18 бр.