A1P50S65M2
Модул: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Urmax: 650V
Производител: STMicroelectronics
Означение на производителя:
A1P50S65M2
Символ TME:
A1P50S65M2
Спецификация
Производител | STMicroelectronics | ||
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | ||
Структура на полупроводника | транзистор/транзистор | ||
Топология | полумост IGBT x3, термистор NTC | ||
Обратно макс. напрежение | 650V | ||
Ток на колектора | 50A | ||
Кутия | ACEPACK™1 | ||
Приложение | двигатели, инвертор | ||
Електрически монтаж | Press-in PCB | ||
Напрежение гейт - емитер | ±20V | ||
Ток на колектора в импулс | 100A | ||
Разсейвана мощност | 208W | ||
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло50 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 43.13 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 51.75 EUR
Нетна цена за количества от 5 бр. - 42.19 EURБрутна цена за количества от 5 бр. - 50.63 EUR