APT50GF120JRDQ3
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APT50GF120JRDQ3
Символ TME:
APT50GF120JRDQ3
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 1,2kV | |
Ток на колектора | 64A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±30V | |
Ток на колектора в импулс | 225A | |
Технология | Fast IGBT, FRED, NPT | |
Вид опаковане | туба | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GF120JRDQ3Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 125.10 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 150.12 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 112.59 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 135.11 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 99.50 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 119.39 USD
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти