+1 500 000 продукти в офертата

6000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	40V
Ток на дрейна	600A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	1,3mΩ
Ток на дрейна при импулс	1,8kA
Разсейвана мощност	940W
Технология	GigaMOS™, TrenchT2™
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	590nС
Време за готовност	100ns
Напрежение гейт-сорс	±30V
Механичен монтаж	завинтване

IXTN600N04T2

Модул; единичен транзистор; 40V; 600A; SOT227B; завинтване; 940W

Спецификация